UCC27712QDQ1 - Драйвери MOSFET/IGBT

UCC27712QDQ1
Опис

IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO8; -1,8÷2,8А; Ch: 2

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Використання автомобільна галузь
Корпус SO8
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Монтаж SMD
Робоча температура -40...140°C
Вихідний струм -1,8...2,8А
Час спадання імпульсу 30нс
Час наростання імпульсу 50нс
Кількість каналів 2
Напруга живлення 10...20В DC
Топологія місток H
півмісток MOSFET
Вид упаковки туба
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat