UCC27712D - Драйвери MOSFET/IGBT

UCC27712D
Опис

IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO8; -1,8÷2,8А; Ch: 2

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Вид упаковки туба
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Кількість каналів 2
Топологія місток H
півмісток MOSFET
Вихідний струм -1,8...2,8А
Час спадання імпульсу 30нс
Час наростання імпульсу 50нс
Напруга живлення 10...20В DC
Корпус SO8
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat