UCC27710D - Драйвери MOSFET/IGBT

UCC27710D
Опис

IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO8; Ch: 2; 10÷20ВDC

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Робоча температура -40...125°C
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Монтаж SMD
Кількість каналів 2
Напруга живлення 10...20В DC
Топологія місток H
півмісток MOSFET
Вид упаковки туба
Корпус SO8
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat