UCC27425DR - Драйвери MOSFET/IGBT

UCC27425DR
Опис

IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми low-side
контролер затворів
Вихідний струм -4...4А
Кількість каналів 2
Монтаж SMD
Корпус SO8
Вид упаковки cтрічка
ролик
Робоча температура -40...105°C
Напруга живлення 4...15В DC
Час спадання імпульсу 40нс
Час наростання імпульсу 40нс
Вихідна напруга 22...450мВ
Властивості інтегральних мікросхем active Miller clamp
Топологія півмісток MOSFET
Вид виходу що інвертує
що не інвертує
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat