UCC27425DR - Драйвери MOSFET/IGBT

UCC27425DR
Опис

IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми low-side
контролер затворів
Корпус SO8
Вихідний струм -4...4А
Вихідна напруга 22...450мВ
Кількість каналів 2
Напруга живлення 4...15В DC
Властивості інтегральних мікросхем active Miller clamp
Монтаж SMD
Робоча температура -40...105°C
Час наростання імпульсу 40нс
Час спадання імпульсу 40нс
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид виходу що інвертує
що не інвертує
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat