TSM300NB06CR-RLG - Транзистори з каналом N SMD

TSM300NB06CR-RLG
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6А; 19Вт; PDFN56

Характеристики
Виробник TAIWAN SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока
Потужність розсіювання 19Вт
Корпус PDFN56
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 30мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 18нКл
Вид упаковки cтрічка
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat