TPS2830D - Драйвери MOSFET/IGBT

TPS2830D
Опис

IC: driver; місток H; high-/low-side,контролер затворів; SO14

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Напруга живлення 4,5...15В DC
Робоча температура -40...125°C
Монтаж SMD
Топологія місток H
Вихідний струм 3,5А
Час спадання імпульсу 50нс
Час наростання імпульсу 50нс
Кількість каналів 2
Вид виходу що не інвертує
Вид упаковки туба
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO14
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat