TPS2812DG4 - Драйвери MOSFET/IGBT

TPS2812DG4
Опис

IC: driver; low-side,контролер затворів; SO8; -2÷2А; 180мВ÷9,9В

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид упаковки туба
Корпус SO8
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Вид виходу що не інвертує
Вихідний струм -2...2А
Час спадання імпульсу 35нс
Час наростання імпульсу 35нс
Вихідна напруга 180мВ...9,9В
Кількість каналів 2
Напруга живлення 4...14В DC
Вхідна напруга 8...40В
Вид об'єднаної схеми low-side
контролер затворів
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat