TK65E10N1 - Транзистори з каналом N THT

TK65E10N1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт

Характеристики
Виробник TOSHIBA
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 148А
Струм стоку в імпульсі 296А
Потужність розсіювання 192Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 81нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat