SUP85N10-10-E3 - Транзистори з каналом N THT

SUP85N10-10-E3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 60А; 250Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 60А
Потужність розсіювання 250Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 10,5мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 105нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat