SUP70040E-GE3 - Транзистори з каналом N THT

SUP70040E-GE3
Опис

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 120А
Струм стоку в імпульсі 480А
Потужність розсіювання 375Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4,6мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 0,12мкКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat