SUP10250E-GE3 - Транзистори з каналом N THT

SUP10250E-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 250В; 36,3А; 125Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 250В
Струм стока 36,3А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 32,5мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Технологія TrenchFET®
Заряд затвора 88нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat