SUM70040E-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SUM70040E-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; 125Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус D2PAK
TO263
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 76нКл
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat