SUD50P10-43L-E3 - Транзистори з каналом P SMD

SUD50P10-43L-E3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -100В; -37,1А; 95Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -37,1А
Потужність розсіювання 95Вт
Корпус DPAK
TO252
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 43мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -40А
Заряд затвора 160нКл
Технологія TrenchFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat