STW12N120K5 - Транзистори з каналом N THT

STW12N120K5
Опис

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1200В; 7,6А; 250Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Монтаж THT
Корпус TO247
Вид упаковки туба
Технологія MDmesh™ K5
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Потужність розсіювання 250Вт
Опір в стані провідності 620мОм
Струм стока 7,6А
Напруга затвор-джерело ±30В
Напруга сток-джерело 1,2кВ
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat