STT253GK12BT-SIR - Модулі тиристорні

STT253GK12BT-SIR
Опис

Module: thyristor; double series; 1.2kV; 250A; Ifmax: 410A; 52MM

Характеристики
Виробник SIRECTIFIER
Тип напівпровідникового модуля тиристорний
Структура напівпровідника подвійна лінійна
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм провідності 250А
Струм провідності макс. 410А
Корпус 52MM
Пряма напруга макс. 1,75В
Поріг напруги спрацьовування 1,2В
Струм в імпульсі макс. 8кА
Струм вентиля 150мА
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat