STT200GK12B-SIR - Модулі тиристорні

STT200GK12B-SIR
Опис

Module: thyristor; double series; 1.2kV; 200A; Ifmax: 314A; 34MM

Характеристики
Виробник SIRECTIFIER
Корпус 34MM
Властивості напівпровідникових елементів glass passivated
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Механічний монтаж пригвинчуваний
Структура напівпровідника подвійна лінійна
Тип напівпровідникового модуля тиристорний
Струм вентиля 150мА
Поріг напруги спрацьовування 0,95В
Пряма напруга макс. 1,6В
Струм провідності 200А
Струм провідності макс. 314А
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм в імпульсі макс. 7кА
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat