STT200GK12B-SIR - Модулі тиристорні

STT200GK12B-SIR
Опис

Module: thyristor; double series; 1.2kV; 200A; Ifmax: 314A; 34MM

Характеристики
Виробник SIRECTIFIER
Тип напівпровідникового модуля тиристорний
Структура напівпровідника подвійна лінійна
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм провідності 200А
Струм провідності макс. 314А
Корпус 34MM
Пряма напруга макс. 1,6В
Поріг напруги спрацьовування 0,95В
Струм в імпульсі макс. 7кА
Струм вентиля 150мА
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Властивості напівпровідникових елементів glass passivated
Механічний монтаж пригвинчуваний
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat