STT116GK12B-SIR - Модулі тиристорні

STT116GK12B-SIR
Опис

Модуль: тиристорний; подвійна лінійна; 1,2кВ; 116А; Ifмакс: 180А

Характеристики
Виробник SIRECTIFIER
Зворотна напруга макс. 1,2кВ
Струм провідності 116А
Структура напівпровідника подвійна лінійна
Корпус 21MM
Пряма напруга макс. 1,5В
Струм провідності макс. 180А
Струм в імпульсі макс. 2кА
Електричний монтаж конектори FASTON
пригвинчуваний
Механічний монтаж пригвинчуваний
Тип напівпровідникового модуля тиристорний
Струм вентиля 150мА
Поріг напруги спрацьовування 0,8В
Властивості напівпровідникових елементів glass passivated
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat