STR2P3LLH6 - Транзистори з каналом P SMD

STR2P3LLH6
Опис

Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; польовий; -30В; -1,2А; Idm: -8А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -1,2А
Потужність розсіювання 0,35Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 90мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -8А
Заряд затвора 6нКл
Технологія STripFET™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat