STR2N2VH5 - Транзистори з каналом N SMD

STR2N2VH5
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 1,4А
Струм стоку в імпульсі 9,2А
Потужність розсіювання 0,35Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 40мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 4,6нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія STripFET™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat