STP8NK100Z - Транзистори з каналом N THT

STP8NK100Z
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 4,3А; 160Вт; TO220-3; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Поляризація польовий
Вид каналу збагачений
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 1,85Ом
Струм стока 4,3А
Потужність розсіювання 160Вт
Напруга сток-джерело 1кВ
Вид упаковки туба
Технологія SuperMesh™
Модель ESD
Корпус TO220-3
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat