STP8N120K5 - Транзистори з каналом N THT

STP8N120K5
Опис

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 1,2кВ
Струм стока 3,5А
Струм стоку в імпульсі 12А
Потужність розсіювання 130Вт
Корпус TO220-3
Опір в стані провідності 2Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Технологія MDmesh™ K5
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat