STP80NF55-06 - Транзистори з каналом N THT

STP80NF55-06
Опис

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Опір в стані провідності 6,5мОм
Струм стока 80А
Напруга затвор-джерело ±20В
Потужність розсіювання 300Вт
Напруга сток-джерело 55В
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Корпус TO220-3
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія STripFET™ II
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat