STP60NF10 - Транзистори з каналом N THT

STP60NF10
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 66А; 300Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Поляризація польовий
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Вид упаковки туба
Опір в стані провідності 23мОм
Струм стока 66А
Напруга затвор-джерело ±20В
Потужність розсіювання 300Вт
Напруга сток-джерело 100В
Технологія STripFET™ II
Корпус TO220-3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat