STP2N80K5 - Транзистори з каналом N THT

STP2N80K5
Опис

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,3А; Idm: 8А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 1,3А
Потужність розсіювання 42Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 4,5Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Технологія MDmesh™ K5
Заряд затвора 5нКл
Струм стоку в імпульсі
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat