STP200NF03 - Транзистори з каналом N THT

STP200NF03
Опис

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія STripFET™ III
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 120А
Струм стоку в імпульсі 480А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 3,6мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 0,14мкКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat