STP19NM50N - Транзистори з каналом N THT

STP19NM50N
Опис

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; польовий; 500В; 10А; 110Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 500В
Струм стока 10А
Потужність розсіювання 110Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 0,2Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Технологія MDmesh™ ||
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat