STP17N80K5 - Транзистори з каналом N THT

STP17N80K5
Опис

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 9А; Idm: 56А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока
Струм стоку в імпульсі 56А
Потужність розсіювання 170Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,34Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 26нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Технологія MDmesh™ K5
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat