STP160N3LL - Транзистори з каналом N THT

STP160N3LL
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 112А
Потужність розсіювання 136Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 4,2мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 42нКл
Струм стоку в імпульсі 480А
Технологія STripFET™ H6
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat