STP140N6F7 - Транзистори з каналом N THT

STP140N6F7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Монтаж THT
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 3,5мОм
Струм стока 80А
Потужність розсіювання 158Вт
Струм стоку в імпульсі 320А
Напруга сток-джерело 60В
Технологія STripFET™
Вид упаковки туба
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус TO220-3
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat