STP13N80K5 - Транзистори з каналом N THT

STP13N80K5
Опис

Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMESH5™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 7,6А
Потужність розсіювання 190Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,45Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat