STP13N60M2 - Транзистори з каналом N THT

STP13N60M2
Опис

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 7А; Idm: 44А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Монтаж THT
Технологія MDmesh™ M2
Корпус TO220-3
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±25В
Заряд затвора 17нКл
Опір в стані провідності 0,38Ом
Струм стока
Потужність розсіювання 110Вт
Струм стоку в імпульсі 44А
Напруга сток-джерело 600В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat