STP120NF10 - Транзистори з каналом N THT

STP120NF10
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 77А; 312Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Технологія STripFET™ II
Корпус TO220-3
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Опір в стані провідності 10,5мОм
Струм стока 77А
Потужність розсіювання 312Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 100В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat