STP11NM60ND - Транзистори з каналом N THT

STP11NM60ND
Опис

Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; польовий; 600В; 6,3А; 90Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 6,3А
Потужність розсіювання 90Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 0,45Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Технологія FDmesh™ II
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat