STP11NK50Z - Транзистори з каналом N THT

STP11NK50Z
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMesh™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 500В
Струм стока 6,3А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,52Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat