STP110N10F7 - Транзистори з каналом N THT

STP110N10F7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 76А
Струм стоку в імпульсі 415А
Потужність розсіювання 150Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 7мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 72нКл
Технологія STripFET™ F7
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat