STP10N80K5 - Транзистори з каналом N THT

STP10N80K5
Опис

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 6А; Idm: 36А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Заряд затвора 22нКл
Опір в стані провідності 0,6Ом
Струм стока
Струм стоку в імпульсі 36А
Потужність розсіювання 130Вт
Напруга затвор-джерело ±30В
Напруга сток-джерело 800В
Технологія MDmesh™ K5
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус TO220-3
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat