STP10N80K5 - Транзистори з каналом N THT

STP10N80K5
Опис

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 6А; Idm: 36А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія MDmesh™ K5
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока
Струм стоку в імпульсі 36А
Потужність розсіювання 130Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,6Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 22нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat