STP100N6F7 - Транзистори з каналом N THT

STP100N6F7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 60В; 75А; 125Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Технологія STripFET™ F7
Корпус TO220-3
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Опір в стані провідності 5,6мОм
Струм стока 75А
Потужність розсіювання 125Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 60В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat