STP100N6F7 - Транзистори з каналом N THT

STP100N6F7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 60В; 75А; 125Вт

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія STripFET™ F7
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 75А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 5,6мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat