STP100N10F7 - Транзистори з каналом N THT

STP100N10F7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 70А
Струм стоку в імпульсі 320А
Потужність розсіювання 150Вт
Корпус TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 8мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 61нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Технологія STripFET™ F7
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat