STN1NK80Z - Транзистори з каналом N SMD

STN1NK80Z
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 160мА; 2,5Вт; SOT223; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMesh™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 0,16А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 16Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat