STGAP2SICS - Драйвери MOSFET/IGBT

STGAP2SICS
Опис

IC: driver; контролер затворів SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4А; Ch: 1

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип інтегральної мікросхеми driver
Вид об'єднаної схеми контролер затворів SiC MOSFET
Корпус SO8-W
Вихідний струм -4...4А
Кількість каналів 1
Властивості інтегральних мікросхем гальванічне відокремлення
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Частота 1МГц
Напруга живлення 3,1...5,5В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat