STF8NK100Z - Транзистори з каналом N THT

STF8NK100Z
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1000В; 4,3А; 40Вт; TO220FP; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMesh™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 1кВ
Струм стока 4,3А
Потужність розсіювання 40Вт
Корпус TO220FP
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 1,85Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat