STE53NC50 - Транзисторні модулі MOSFET

STE53NC50
Опис

Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Технологія MDmesh™
MESH OVERLAY™
PowerMesh™
Корпус ISOTOP
Електричний монтаж пригвинчуваний
Поляризація польовий
Структура напівпровідника одиночний транзистор
Механічний монтаж пригвинчуваний
Тип напівпровідникового модуля транзисторний MOSFET
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 70мОм
Струм стока 33А
Струм стоку в імпульсі 212А
Напруга сток-джерело 500В
Потужність розсіювання 460Вт
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat