STB55NF06T4 - Транзистори з каналом N SMD

STB55NF06T4
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 35А; 110Вт; D2PAK; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMesh™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 35А
Потужність розсіювання 110Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 18мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat