STB30NF10T4 - Транзистори з каналом N SMD

STB30NF10T4
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 25А
Потужність розсіювання 115Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 45мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія SuperMesh™
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat