STB24N60DM2 - Транзистори з каналом N SMD

STB24N60DM2
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; 150Вт; D2PAK; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMesh™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 11А
Потужність розсіювання 150Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 0,2Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat