STB18NF25 - Транзистори з каналом N SMD

STB18NF25
Опис

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 250В
Струм стока 12А
Потужність розсіювання 110Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,165Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія STripFET™ II
Струм стоку в імпульсі 68А
Заряд затвора 29,3нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat