STB120NF10T4 - Транзистори з каналом N SMD

STB120NF10T4
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Монтаж SMD
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMesh™
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Опір в стані провідності 10,5мОм
Напруга затвор-джерело ±20В
Струм стока 77А
Напруга сток-джерело 100В
Потужність розсіювання 312Вт
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус D2PAK
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat