STB120NF10T4 - Транзистори з каналом N SMD

STB120NF10T4
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

Характеристики
Виробник STMicroelectronics
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SuperMesh™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 77А
Потужність розсіювання 312Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 10,5мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat