SQS160ELNWT1GE3-0 - Транзистори з каналом N SMD

SQS160ELNWT1GE3-0
Опис

Transistor: N-MOSFET; 60V; 141A; 113W; automotive industry

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж SMD
Використання автомобільна галузь
Вид каналу збагачений
Струм стока 141А
Напруга сток-джерело 60В
Заряд затвора 71нКл
Напруга затвор-джерело 20В
Потужність розсіювання 113Вт
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat