SQ3426EV-T1-GE3 - Транзистори з каналом N SMD

SQ3426EV-T1-GE3
Опис

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока
Струм стоку в імпульсі 29А
Потужність розсіювання 5Вт
Корпус SC74
TSOP6
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 71мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 6,3нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat