SQ2351ES-T1-GE3 - Транзистори з каналом P SMD

SQ2351ES-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -20В
Струм стока -1,8А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 0,115Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 5,5нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat